电力电子器件

GaN 材料具有宽禁带(3.4eV)、高击穿场强(3.3MV/cm )、高电子迁移率
(1300cm2/Vs)和高饱和电子漂移速度(3.0×107cm/s)等优异的材料性能。
AlGaN/GaN HEMT 器件,由于自发极化效应和压电极化效应,具有高密度、高迁
移率的二维电子气,这些特点决定了 HEMT 器件在应用于高温、高频、高电压电
力电子器件方面具有巨大的潜力。